Kekonduksian Anod Titanium Dan Mekanisme Pemangkin Pengenalan

Kekonduksian Anod Titanium Dan Mekanisme Pemangkin Pengenalan

Kepekatan larutan salutan adalah berkadar dengan jumlah salutan, dan hayat yang dipertingkatkan akan meningkat apabila kepekatan larutan salutan meningkat dan jumlah salutan meningkat. Tetapi hayat pengukuhan salutan per unit jisim tidak berkadar dengan jumlah salutan. Apabila kepekatan larutan salutan ialah 0.79mo1/L, hayat pengukuhan salutan per unit jisim adalah yang paling lama. Daripada kajian struktur salutan, diketahui bahawa penambahan lapisan perantaraan Ir02 membantu meningkatkan hayat elektrod yang dipertingkatkan. Prestasi pemangkin elektrod terutamanya dipengaruhi oleh lapisan permukaan salutan, dan struktur permukaan salutan sangat dipengaruhi oleh struktur dalaman. Substrat titanium dirawat dengan gabungan pembuatan liang kimia kura-kura dan pengelasan asid untuk menyediakan elektrod berliang. Keputusan menunjukkan bahawa: membuat lubang meningkatkan permukaan sebenar substrat titanium, meningkatkan jumlah salutan per unit luas, meningkatkan hayat elektrod, dan mengurangkan potensi evolusi klorin.

pengenalan produk

1. Mekanisme konduktif elektrod oksida logam

Kekonduksian elektrik adalah prestasi paling asas yang perlu ada pada elektrod. Menurut struktur atom yang diterangkan oleh Goodenough, Ti4+dan O2-orbital elektron lapisan dihibridkan untuk membentuk ikatan δ dan ikatan π. Elektron valens mencukupi untuk mengisi jalur tenaga rendah δ dan π, manakala jalur tenaga tinggi kekal kosong. Menurut teori struktur bahan, struktur molekul tersebut tidak mudah untuk mengalirkan elektrik. Untuk membuat Ti02 konduktif. Ia adalah perlu untuk membenamkan unsur dengan satu atau lebih elektron valens dalam Ti02, elektron ini boleh menduduki jalur pengaliran atau menjadi pembawa teratai.

Ru02ialah oksida logam peralihan dengan struktur rutil. Konfigurasi elektron luar Ru ialah 4d75s1. Selepas empat elektron diberikan kepada dua atom oksigen, atom oksigen melengkapkan 8-lapisan elektron dan terdapat 4 elektron Bebas yang tinggal mengambil bahagian dalam penggabungan. Doping Ru dalam TiO2, larutan pepejal salutan boleh dinyatakan sebagai: RuδTi(n-δ)O2ne(1.13)

Dalam formula, δ mewakili bilangan atom Ti yang digantikan oleh Ru, dan n ialah bilangan atom Ti dalam Ti02. Selain kumpulan penuh dalam Ru02-Ti02larutan pepejal, terdapat jalur tenaga yang mengandungi elektron (cth). Berbanding dengan elektron dalam jalur penuh, elektron dalam jalur tenaga ini kurang terikat dan boleh teruja ke jalur pengaliran hanya dengan tenaga {{0}}.2ev, supaya lebar jalur terlarang Ti02adalah bersamaan dengan penebat. 3.05ev dikecilkan kepada 0.2ev, mencapai struktur jalur tenaga semikonduktor. Di samping itu, Ru02ialah oksida logam kekurangan oksigen, yang meningkatkan bilangan elektron bebas. Di samping itu, dalam pelbagai proses sistem salutan oksida, sebahagian daripada atom oksigen digantikan oleh atom klorin, yang meningkatkan bilangan elektron yang tidak dikongsi. Oleh itu, TiO2dibenamkan dengan Ru02atau Ru02dibenamkan dengan TiO2, dan campuran ini menjadikan elektrod konduktif.

Doping 1% mol Ta dan Nb dalam TiO2(kedua-duanya hanya satu elektron lebih daripada Ti), kekonduksian yang masing-masing meningkat sebanyak 4160 kali dan 5500 kali. Dalam Ru02-Ti02semikonduktor jenis-n, rutenium penderma mempunyai 4 elektron bebas, iaitu lebih daripada bilangan elektron bebas yang Ta dan Nb boleh berikan, jadi kekonduksian larutan pepejal ini sangat baik.

2. Mekanisme pemangkin elektrod oksida logam

Ru02, Ir02, PbO, dsb. yang disediakan melalui penguraian terma ialah sebatian struktur kecacatan bukan stoikiometrik. Mengambil penguraian terma RuCl3pada 300 darjah -500 darjah sebagai contoh, RuOxClyHzdiperolehi. Oleh kerana kecacatan oksigen terhasil dalam kekisi kristal, Ru3+sepatutnya hadir. Apabila voltan positif dikenakan pada elektrod, pertama Ru3+teruja untuk memindahkan elektron ke matriks titanium, menghasilkan Ru4+dengan pusat cas positif yang lebih kuat. Ungkapan boleh ditulis sebagai:

Ru3+→ Ru4+ + e- (1.14)

Ru4++ Cl- → Ru4+Cliklan+ e- (1.15)

Pada masa ini, Ru4+ialah pusat aktif pada permukaan mangkin semikonduktor dan merupakan lubang bercas positif yang boleh menerima elektron. Di bawah tindakan elektrostatik, Ru4+akan menarik Cl-pada antara muka oksida/larutan, menyebabkan Cl-untuk melepaskan di atasnya, dan Elektron diangkut ke matriks titanium melalui Ru4+, formula tindak balas ialah:

Ru4++ Cl-→ Ru4+Cliklan+ e- (1.16)

Pada masa ini, Ru4+Cliklanbergabung dengan Cl-pada antara muka untuk menghasilkan Cl2, dan Ru4+mendapat elektron dan menukar kepada Ru3+. Formula tindak balas ialah:

Ru4+Cliklan+ Cl- → Ru3++C12 (1.17)

Disebabkan Ru4+, Ru3+ditukar daripada 4d4ke 4d5, dan pembentukan C12juga mengurangkan tenaga sistem, tindak balas adalah mudah untuk diteruskan, jadi formula (1.14) ialah langkah kawalan kadar.

Menurut mekanisme pemangkin Ru02, para penyelidik percaya bahawa PdO yang dihasilkan oleh penguraian terma PdCl2ialah sebatian kekurangan oksigen bukan stoikiometrik, dan terdapat Pd+dalam kekisi kristal, dan mekanisme evolusi klorin padanya adalah serupa dengan Ru3+, dengan itu meringkaskan oksida logam mulia berasaskan titanium Mekanisme pemangkin elektrod ialah:

Mn+ → M(n+1)+ + e- (1.18)

M(n+1)++ Cl- → M(n+1)+Clads + e- (1.19)

M(n+1)+Cliklan+ Cl- → Mn++ Cl2 (1.20)

Cool tags: kekonduksian anod titanium dan pengenalan mekanisme pemangkin, China, pengilang, pembekal, kilang, disesuaikan, borong, harga rendah, dalam stok

Anda mungkin juga berminat

(0/10)

clearall